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IDB2.0/P-1

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称北京创四方电子集团股份有限公司
  • 品       牌
  • 型       号
  • 所  在  地北京市
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2023/3/20 10:59:56
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  创四方集团是一家致力于新能源电流/电压传感器、新能源电抗器/特种变压器、小型精密电磁元器件、电动汽车交/直流充电桩电源、模块电源、开板电源、网格电源的研发、设计、生产、销售、服务的高新技术企业,总部位于中关村电子城科技园区IT产业园,拥有“BingZi兵字 ”和“TransFar创四方”两大自主品牌,产品覆盖全国并远销海外。集团拥有占地面积80余亩,建筑面积40000m²的福建产业基地(位于福建省南平市武夷新区高新技术产业园区内)。集团系中国电源学会理事单位,北京电源行业协会常务理事单位,中国电子质量管理协会会员单位, 电车人产业联盟理事单位,ISO9001质量体系认证单位,中国电子行业用户满意企业、用户满意产品单位。   经过多年发展,公司汇聚了一批高素质的专业技术人才,在各类产品上都能实现有针对性的专业性设计和高品质制造。所有产品都具有结构布局合理、隔离耐压高、散热好、环境适应能力强等显著优点,可广泛应用于新能源电动汽车、光伏发电、风力发电、电力智能化、铁路、工业控制系统、电力电子装置、智能仪器仪表、通用电器设备等不同行业复杂的使用环境中。    我公司的设计将以市场需求为导向,不断创新,关注客户并努力为客户创造价值,与业界同仁携手并进,共同为电子元器件市场和电力电子行业的繁荣与发展做出应有的贡献。
 
  公司愿景:
 
  让电与磁的结合更完美,致力成为电磁技术领域受人尊敬的世界一流企业。
 
  公司使命:
 
  让自动化更精准、更节能、更可靠、更安全。
 
  核心价值观:
 
  专业、专注;勤勉、务实;品质、安全;共赢、成长。
 
  公司宗旨:
 
  “创造一流,四海皆知,方显卓越”
 
  质量方针:
 
  提供优质产品,满足顾客不断增长和变化的需求,实现市场领先和利润增长的目标,从而体现“创造一流,四海皆知,方显卓越”的企业宗旨。
 
  公司文化:
 
  “敬业、实干”、“平等、尊重及团队精神”
 
  公司目标:
 
  “以新颖的设计思想,独到的经营理念和卓有成效的管理为基础,立足创新,实现市场领先和利润增长。”
变压器,互感器,电量传感器,模块电源,电抗器
IDB2.0/P-1是一款具有软关断保护功能的IGBT驱动模块,单列直插封装,工作频率20~80KHz,占空比范围5%-95%,关断时输出负电平,可靠关断。
IDB2.0/P-1 产品信息

一、概述:

IDB2.0/P-1是一款具有软关断保护功能的IGBT驱动模块,单列直插封装,工作频率2080KHz,占空比范围5%-95%,关断时输出负电平,可靠关断。

 

二、原理框图:


1.png 


三、电气参数:

3.1极限参数:

项目

测试条件

数值

单位

输入脉冲信号幅值

Vs

端子12之间

16

V

输出功率

Po


2

W

输出电流

Ig on

瞬态峰值

5

A

Ig off

-5

A

绝缘耐压

Viso

AC 50Hz/min

2.5

KV

工作环境温度

Top


-40+70

储藏温度

Tst


-50+125

  

 

3.2电气特性:

参数

符号

测试条件

最小值

典型值

单位

输入脉冲信号幅值

Vs



15


V

输入信号电流

Is

峰值电流



1

A

输出电压

Vo+

CL=60nF


14


V

Vo-


-8


输出电流

Io+

f=50KHz     Rg=2Ω   CL=60nF


5


A

Io-


-5


栅极电阻

Rg


2



Ω

输出电荷

Qout




2.5

μC

工作频率

Fop


20


80

kHz

输出功率

Po




2

W

占空比

δ


5


95

%

开通延迟

Tod

CL=100nF


500


nS

关断延迟

Tsd

CL=100nF


400


上升延迟

Trd

CL=60nF


680


nS

下降延迟

Tfd

CL=60nF


580


保护阈值

Vn



5.4


V

盲区时间

Tb



1.5


uS

软关断时间

TS



1.8


uS

再启动时间

Tr



1.4


mS

故障信号延迟时间

Ta



200


nS

 

四、尺寸结构:

4.1外形尺寸:

  2.png


4.2引脚定义:

引脚序号

引脚符号

引脚功能描述

1

PWM

驱动信号输入端

2

GND

驱动信号输入地

345


空脚

6

ALM

故障信号输出端,低电平有效

7

VCC

内部电源正端

8

COM

内部电源公共端

9

CEE

内部电源负端

10

ROCP

过流保护阈值调整端

11

Reset

故障保护重启时间调整端

12

Blind

保护盲区时间调整端

13

Soft

保护软关断时间调整端

14

OCP

过流检测输入端

1516

VO

驱动输出端

 

五、保护参数调节:

5.1波形图:

 3.png


5.2保护阈值调节:

阈值电压Vn是指过流保护时检测端的电压,当检测到的电压升高到阈值电压时,电路开始软关断。通过调节电阻RnRp阻值可调节阈值大小。

 

Rn(KΩ)

100

47

20

Vn(V)

5.4

4.5

3.7

2.5

       

Rp(KΩ)

100

47

20

Vn(V)

5.4

6.6

7.5

9.2

 

5.3软关断时间调节:

软关断时间Ts是指过流或短路时,输出驱动信号电压下降到0V的时间。调节电容Cs可以改变软关断时间。

 

Cs(nF)

2.2

4.7

6.8

10

15

TsμS

1.9

3.3

5

6.5

7.6

10

 

5.4盲区时间调节:

盲区时间Tb是指检测到过流或保护后到栅极电压开始下降的时间,可以避免各种干扰对模块的影响。调节电容Cb可以增大盲区时间。

Cs(pF)

47

68

100

150

TsμS

1.4

3.9

5.1

6.9

9.9

  

5.5再启动时间调节:

     再启动时间Tr是指过流保护软关断输出驱动信号到驱动模块再次启动输出驱动信号的时间。调节电容Cr可以增大再启动时间。

Cr(nF)

1

2.2

4.7

TrμS

1.4

1.8

2.8

4.2

 

六、参考电路:

6.1输入端:

 4.png

 

       驱动板输入级不具备放大能力,所以输入信号和驱动板之间需要接入信号驱动级,将输入信号的功率放大,使其瞬时输出的能力能达到驱动板的要求。(若输入信号功率满足要求可以不接驱动级。)

驱动板输入信号要求:瞬时电流大于1A(频率50KHz,占空比50%),峰峰值15V

      6.2 典型应用:     推荐参数


R1

820Ω

R2

3.3KΩ

R3

220Ω

R4

10KΩ

Rg

2Ω

Rn

根据需要

Rp

根据需要

U1

PC817

C1

10nF

Cr

根据需要

Cb

根据需要

Cs

根据需要

D1

15V稳压管

D2

UF4007

D3

UF4007


5.png

 

七、注意事项:

  1.驱动板输出功率可用公式Po=2Q*f*V计算。Q为IGBT所需的驱动电荷;V为驱动电压的值。

   2.IGBT的驱动走线应尽量短。

3.调节参数时外接的器件要尽量靠近驱动板,注意取值范围,不宜超出推荐范围。

4.如果不需要短路保护或是调试时要去掉短路保护,可在8和14之间加一个4.7K左右的电阻。

 


关键词:IGBT
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